 |
 Раздел: Электротехнический портал PowerPortal /
Новости
|
 |
|
 Создан новый тип транзисторов на основе нитрида галлия.
Американскому учёному китайского происхождения Хуану Вэйсяо (Weixiao Huang) впервые удалось создать рабочий транзистор, построенный на основе нитрида галлия (GaN). По мнению экспертов, промышленное использование этого материала открывает большие перспективы для микроэлектроники — чипы на его основе будут потреблять меньше энергии и повысится общая эффективность электронных схем.
Кремний, который десятки лет властвует в полупроводниковой индустрии, не вполне удовлетворяет современным требованиям по целому ряду показателей. Именно поэтому инженеры ведут поиск возможностей создания транзисторов на альтернативной основе. В том числе с использованием GaN.
Новый материал обладает высокой термической, химической и даже радиационной стойкостью. Он также обеспечивает хорошую теплопроводность, которая снимает многие проблемы охлаждения рабочей области микросхемы. А что особенно важно, у нитрида галлия более высокая электропроводность, чем у кремния. Всё это теоретически позволяет создать на его основе высокочастотные и высокотемпературные транзисторы, да ещё и работающие в крайне неблагоприятных условиях.
В последние годы интерес к GaN значительно вырос в связи с успехами в получении качественных слоёв и диодов на его основе. Так, в январе этого года группа исследователей из университета Ноттингема (University of Nottingham) во главе с Сергеем Новиковым опубликовала в журнале Semiconductor Science and Technology отчёт о получении толстых (до 60 микрометров) слоёв кубического галлия.
Тем не менее работоспособный транзистор на основе GaN до сих пор сделать не удавалось. Разработка Хуана – первый полупроводниковый прибор в мире, построенный по этой технологии.
Результаты проведённых измерений показали, что технические характеристики устройства значительно превосходят аналогичные параметры энергопотребления, размерности и удельной мощности (power density) у полевых кремниевых транзисторов, на которых в основном и построена вся современная цифровая техника.
"Теперь электронику можно применять в тех областях, где это раньше было невозможно", — радуется американо-китайский изобретатель. Он также мечтает о том, что замена кремниевых микросхем на галлий-нитридные позволит сократить потребление ископаемых ресурсов и вредные выбросы в атмосферу Земли.
Источник: http://www.membrana.ru/
18.5.2008
|
«Назад
|
|
 |
|
 |
|
|
Добавить компанию
Приглашаем энергетиков на обучение от СКБ ЭП в 2025 году СКБ ЭП приглашает специалистов энергетики пройти трёхдневное обучение в сентябре 2025 года с выдачей удостоверений установленного образца
Запускаем чат-бот СКБ ЭП в Telegram! СКБ ЭП уже давно ведет свой канал в Telegram, а теперь запускает чат-бот, чтобы упростить жизнь клиентов и в авто-режиме "дать" ответы на часто задаваемые
МИКО-9А снова "спасает" трансформатор от списания! Продолжаем историю старого трансформатора ТМН-6300 35-У1, который снова находился на грани списания по причине его диагностики "некачественным"
Открываем регистрацию на вебинары СКБ ЭП в 2025 г. Подготовлен тематический план по основным группам приборов - выбирайте интересную тему и оставляйте заявку на участие! Компания СКБ ЭП регулярно
Новые разработки СКБ ЭП на МФЭС-2024 В период с 3 по 5 декабря 2024 года в г. Красногорск прошел международный форум "ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЕТИ" (МФЭС-2024), который собрал ведущих представителей
