|
Справочник  Справочник ООО Витан
| |
Прайс-лист фирмы: ООО Витан  (последнее обновление 14-09-2015)
Товаров: 5940
Страница 77 показано с 3801 по 3850
|
|
| |
Наименование товара
|
Цена
|
|
IRFP250N;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канал, корпус TO-247AC;1000;55;шт
|
руб.
|
|
IRFP250N;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канал, корпус TO-247AC;1000;55;шт
|
руб.
|
|
IRFP460;Заказ;IR;Nканал, 500В, 20А, TO247AC ;1000;80;шт
|
руб.
|
|
IRFP460;Заказ;IR;Nканал, 500В, 20А, TO247AC ;1000;80;шт
|
руб.
|
|
IRFPF50PBF;Заказ;Vishay;Транзистор Power MOSFET, Копрус TO-247AC;50;50;шт
|
руб.
|
|
IRFPF50PBF;Заказ;Vishay;Транзистор Power MOSFET, Копрус TO-247AC;50;50;шт
|
руб.
|
|
IRFR024NTRPB;2000;IR;Транзистор MOSFET,N-канал, Uси: 55 В Iс(25°C) 16 А, Rси(вкл): 75 мОм, Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 20 В;2000;5,5;шт
|
руб.
|
|
IRFR024NTRPB;2000;IR;Транзистор MOSFET,N-канал, Uси: 55 В Iс(25°C) 16 А, Rси(вкл): 75 мОм, Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 20 В;2000;5,5;шт
|
руб.
|
|
IRFR1N60A;Заказ;IR;Транзистор MOSFET силовой, N-канал, 600В, корпус DPAK;50;14;шт
|
руб.
|
|
IRFR1N60A;Заказ;IR;Транзистор MOSFET силовой, N-канал, 600В, корпус DPAK;50;14;шт
|
руб.
|
|
IRFR320ATM;9000;IR;Power MOSFET (Vdss=400V, Rds (on) =1.8ohm, Id=3.1A), Корпус D-PAK(TO-252AA);2500;10;шт
|
руб.
|
|
IRFR320ATM;9000;IR;Power MOSFET (Vdss=400V, Rds (on) =1.8ohm, Id=3.1A), Корпус D-PAK(TO-252AA);2500;10;шт
|
руб.
|
|
IRFR5305TRPBF;2000;IR;Транзистор MOSFET P-CH 55V 31A DPAK;2500;7,6;шт
|
руб.
|
|
IRFR5305TRPBF;2000;IR;Транзистор MOSFET P-CH 55V 31A DPAK;2500;7,6;шт
|
руб.
|
|
IRFR9024NTRPBF;Заказ;IR;Транзистор MOSFET P-CH 55V 11A DPAK;2000;6,6;шт
|
руб.
|
|
IRFR9024NTRPBF;Заказ;IR;Транзистор MOSFET P-CH 55V 11A DPAK;2000;6,6;шт
|
руб.
|
|
IRFZ14;Заказ;IR;Транзистор полевой, Nкан, 60В, 10А, корпус TO220;1000;24,25;шт
|
руб.
|
|
IRFZ14;Заказ;IR;Транзистор полевой, Nкан, 60В, 10А, корпус TO220;1000;24,25;шт
|
руб.
|
|
IRFZ24NPBF;Заказ;IR;Транзистор полевой, Nкан, 55В, 17А, корпус TO220;1000;20,23;шт
|
руб.
|
|
IRFZ24NPBF;Заказ;IR;Транзистор полевой, Nкан, 55В, 17А, корпус TO220;1000;20,23;шт
|
руб.
|
|
IRG4PC40FPBF;Заказ;IR;Транзистор IGBT 600В 49А 1-8кГц TO247AC ;50;95,2;шт
|
руб.
|
|
IRG4PC40FPBF;Заказ;IR;Транзистор IGBT 600В 49А 1-8кГц TO247AC ;50;95,2;шт
|
руб.
|
|
IRGP4063D;Заказ;IR;Транзистор IGBT, 600В, 48А, 150кГц, корпус TO-247;50;287;шт
|
руб.
|
|
IRGP4063D;Заказ;IR;Транзистор IGBT, 600В, 48А, 150кГц, корпус TO-247;50;287;шт
|
руб.
|
|
IRGP50B60PD1;Заказ;IR;IGBT,WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE, VCES = 600V, VCE(on) typ. = 2.00V, VGE = 15V, IC = 33A, RCE(on) typ. = 61мОм, ID (FET equivalent) = 50A, Корпус - TO-247AC;25;176,4;шт
|
руб.
|
|
IRGP50B60PD1;Заказ;IR;IGBT,WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE, VCES = 600V, VCE(on) typ. = 2.00V, VGE = 15V, IC = 33A, RCE(on) typ. = 61мОм, ID (FET equivalent) = 50A, Корпус - TO-247AC;25;176,4;шт
|
руб.
|
|
IRLL014;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канал, 60В, 2.7А, SOT-223-3;2500;7,5;шт
|
руб.
|
|
IRLL014;Заказ;IR;Транзистор полевой, N-канал, 60В, 2.7А, SOT-223-3;2500;7,5;шт
|
руб.
|
|
IRLML2402TR;Заказ;IR;N-Channel MOSFET, Vds=20V, Rds=0.25 R, P=540mW, рабочая температура -55 to +150C, Корпус SOT-23;3000;2,3;шт
|
руб.
|
|
IRLML2402TR;Заказ;IR;N-Channel MOSFET, Vds=20V, Rds=0.25 R, P=540mW, рабочая температура -55 to +150C, Корпус SOT-23;3000;2,3;шт
|
руб.
|
|
IRLML2803TRPBF;12000;IR;МОП-транзистор MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl ;3000;2,3;шт
|
руб.
|
|
IRLML2803TRPBF;12000;IR;МОП-транзистор MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl ;3000;2,3;шт
|
руб.
|
|
IRLML5103;Заказ;IR;MOSFET силовой транзистор, Uси: 30 В, Rси(вкл) 0.6...1 Ом, Uзатв(ном) 4.5...10 В, Uзатв(макс) 20 В , Qзатв: 3.4 нКл, Корпус Micro 3/ SOT-23;3000;2,1;шт
|
руб.
|
|
IRLML5103;Заказ;IR;MOSFET силовой транзистор, Uси: 30 В, Rси(вкл) 0.6...1 Ом, Uзатв(ном) 4.5...10 В, Uзатв(макс) 20 В , Qзатв: 3.4 нКл, Корпус Micro 3/ SOT-23;3000;2,1;шт
|
руб.
|
|
IRLR024NTRPB;Заказ;IR;Транзистор MOSFET,N-канал, Корпус D-Pak, Uси: 55 В , Iс(25°C): 17 А , Rси(вкл): 0.065...0.11 Ом , Uзатв(ном): 4.5...10 В, Uзатв(макс): 16 В;2000;5,43;шт
|
руб.
|
|
IRLR024NTRPB;Заказ;IR;Транзистор MOSFET,N-канал, Корпус D-Pak, Uси: 55 В , Iс(25°C): 17 А , Rси(вкл): 0.065...0.11 Ом , Uзатв(ном): 4.5...10 В, Uзатв(макс): 16 В;2000;5,43;шт
|
руб.
|
|
IRLR7821 ;Заказ;IR;MOSFET, Uси 30В, Iс 65А , Rси 10...12.5мОм, Uзатв 4.5...10В, Uзатв 20В, Корпус D-Pak;2000;6,95;шт
|
руб.
|
|
IRLR7821 ;Заказ;IR;MOSFET, Uси 30В, Iс 65А , Rси 10...12.5мОм, Uзатв 4.5...10В, Uзатв 20В, Корпус D-Pak;2000;6,95;шт
|
руб.
|
|
IXFH44N50P;Заказ;IXYS;MOSFET, N-канал, 500В, 44А, корпус TO-247;;234;шт
|
руб.
|
|
IXFH44N50P;Заказ;IXYS;MOSFET, N-канал, 500В, 44А, корпус TO-247;;234;шт
|
руб.
|
|
KLS1-207C-1.5-2-100-T-5.7*3.0*0.8;Заказ;KLS;линейка штыревая, 2 ряда, 2х50 контактов, smd, шаг 1,27мм, высота конт. 3мм, посадочное 5,7мм;1000;26,6;шт
|
руб.
|
|
KLS1-207C-1.5-2-100-T-5.7*3.0*0.8;Заказ;KLS;линейка штыревая, 2 ряда, 2х50 контактов, smd, шаг 1,27мм, высота конт. 3мм, посадочное 5,7мм;1000;26,6;шт
|
руб.
|
|
KLS2-101-3.50-03P-4S (DG381S-3.5-03P);Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 3.5 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;15,3;шт
|
руб.
|
|
KLS2-101-3.50-03P-4S (DG381S-3.5-03P);Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 3.5 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;15,3;шт
|
руб.
|
|
KLS2-306V-5.00-02P-2C;Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 5.0 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;1,4;шт
|
руб.
|
|
KLS2-306V-5.00-02P-2C;Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 5.0 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;1,4;шт
|
руб.
|
|
KLS2-306V-5.00-03P-2C;Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 5.0 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;2,8;шт
|
руб.
|
|
KLS2-306V-5.00-03P-2C;Заказ;KLS;Терминальный блок, шаг 5.0 мм, макс.напр.300В, макс.ток 15А, провод 22-14AWG,1.5 мм2;1000;2,8;шт
|
руб.
|
|
KLS2-333K-3.50-02P-2C;5000;KLS;Терминальный блок, шаг 3.5 мм, макс.напр.300В, макс.ток 10А, провод 22-14AWG,1.0 мм2;1000;8;шт
|
руб.
|
|
KLS2-333K-3.50-02P-2C;5000;KLS;Терминальный блок, шаг 3.5 мм, макс.напр.300В, макс.ток 10А, провод 22-14AWG,1.0 мм2;1000;8;шт
|
руб.
|
Прайс-лист фирмы: ООО Витан (последнее обновление 14-09-2015)
Страницы:
«
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
»
1-15
16-30
31-45
46-60
61-75
91-105
106-119
Предложение поставщикам: Добавить прайс-лист
|
|
Раздел: 
Добавить компанию
Юбилей СКБ ЭП - 35 лет: путь, который меняет отрасль! 35 лет СКБ ЭП – это десятки тысяч часов, проведённых за решением сложнейших задач — от первых аналоговых систем до современных цифровых
Новые разработки СКБ ЭП на МФЭС-2025! В период с 2 по 4 декабря 2025 года выставочный комплекс «Тимирязев центр» стал центром притяжения для специалистов энергетической отрасти: здесь прошел
Сделано СКБ ЭП: высокоточные шунты Компания СКБ ЭП выводит на рынок измерительные шунты собственного производства - SV75 и SV60. Изделия предназначены для расширения диапазона измерения приборов,
СКБ ЭП представила приборы в «День мастера» Тулэнерго — Россети Специалист компании СКБ ЭП продемонстрировал современные решения для диагностики энергетического оборудования. На прошлой неделе
СКБ ЭП приняли участие в Корпоративном дне презентаций ПАО "Россети Ленэнерго" 13 ноября 2025 года на базе учебного комплекса ПАО "Россети Ленэнерго" специалисты СКБ ЭП успешно представили передовые
